一台X光射线光刻机成本只要58万软妹币，除此以外X光射线光刻机功耗比DUV低，它制作一片晶圆功耗只有DUV的58%，最重要的是它不需要制作掩膜。
效率不够完全看用数量来凑，1台一小时可以生产12片，10台一小时就可以生产120片。
一台DUV光刻机售价可是高达几千万软妹币，10台X光射线光刻机只要580万软妹币。
可以说X光射线光刻机除了效率以外其他方面完胜现有DUV光刻机，只是EUV光刻机都没有办法跟X光射线光刻机相比。
X光射线光刻机最牛的地方就是它的升级迭代十分简单，后续只需要升级现有的激光头就可以了，升级一台设备的成本不到10万软妹币。
虽然说X光射线光刻机只需要升级激光头就可以，但是X光射线光刻机激光头制作十分复杂，但是激光头的研发成本可不比DUV光刻机研发成本低。
X光射线光刻机只是量产以后制作成本比较低而已。
5分钟后一片晶圆从光刻机仓内传送出来，不过韩琛等人并未急着去动它，想要知道光刻机是否有问题，还需要更多的样本来检测才行。
转眼一个小时过去。
X光射线光刻机成功将12片晶圆送出光刻机舱体。
“段振元，将这些晶圆送去刻蚀吧，等结果出来以后告诉我。”韩琛说道。
“好的，韩总。”段振元回道。
虽然光刻机已经将电路刻在晶圆片上，但是后面还有许多流程等着。
比如刻蚀，刻蚀需要用液体、气体或等离子体等方法去除氧化层上多余的部分，只留下光刻图案所覆盖的部分。刻蚀过程通常分为湿法刻蚀和干法刻蚀，前者使用特定的化学溶液进行化学反应，后者使用气体或等离子体进行物理或化学反应。
下一个步骤则是离子注入，离子注入需要用高能的离子束将掺杂物注入晶圆中的特定区域，从而改变其导电性质。离子注入过程可以控制晶体管的类型、大小和性能。
这几个步骤前段生产环节而已，完成前段生产环节还要做后段生产，后段生产环节需要沉积、光刻、刻蚀、填充。
沉积需要在晶圆表面沉积一层绝缘材料，称为“介电层”。介电层可以防止金属线之间的电流干扰和串扰。沉积过程通常是利用化学气相沉积、原子层沉积或物理气相沉积等方法，在晶圆表面形成一层均匀且无缺陷的薄膜。
光刻需要重复前段生产中的光刻过程，在介电层上涂覆光刻胶，并用掩模和光源进行曝光，从而在介电层上留下所需的图案。
刻蚀需要重复前段生产中的刻蚀过程，去除介电层上多余的部分，只留下光刻图案所覆盖的部分。这样就在介电层上形成了一些孔洞，称为“通孔”或“接触孔”。
填充需要用金属材料（如铜、钨等）填充通孔或接触孔，从而实现晶体管之间的连接。填充过程通常是利用电镀或化学气相沉积等方法，在通孔或接触孔中形成金属线。
等前后段生产完结以后还要对芯片进行检测，检测环节又分为四个步骤，第一个步骤是电气参数监控，第二个步骤是晶圆老化测试，第三个步骤是晶圆分选，最后一个步骤就是封装。
电气参数监控需要对晶圆进行电气参数监控，即测量晶圆上各种器件和结构的电气特性，如阈值电压、漏电流、接触电阻等。EPM可以评估芯片制造过程中是否有异常或偏差，以及对芯片性能和可靠性的影响。
晶圆老化测试需要对晶圆进行老化测试，即在高温、高压或高频等极端条件下对晶圆进行应力测试，以模拟芯片在实际使用环境中可能遇到的各种压力。老化测试可以评估芯片的稳定性和寿命，以及预测可能出现的故障。
晶圆分选需要对晶圆进行分选，即用专用的设备对晶圆上的每个芯片进行功能和性能的测试，以筛选出合格的芯片和不合格的芯片。分选过程可以根据芯片的等级和需求，将合格的芯片分为不同的类别和批次。